领衔这一研究工作的是Unisantis首席技术官Fujio Masuoka。此人曾在就职东芝期间发明了如今广泛应用的闪存技术。他将和30多名理论家、工程师、科学家一同投身此项工程。
Fujio Masuoka介绍说，新的3D晶体管被称为“环绕栅极晶体管”(Surrounding Gate Transistor，SGT)，以垂直放置的硅柱为核心，周围环绕着存储单元、电气触点以及其他一些尚未命名的部件。与目前水平放置的晶体管架构相比，SGT将大大减少电子流动的距离、降低发热量、缩减成本。
Fujio Masuoka表示：“就晶体管面积和处理速度方面而言，SGT还将大大延伸硅半导体技术的发展，将理论极限推迟三十年以上。对于新一代集成电路芯片的研发来说，这种改进是非常必要的。它将充分满足日趋强大和复杂的IT产品和计算网络所需要的计算能力。”
